姓名：范谦

性别：男

党派：中共党员

职称：研究员

联系方式：103200035@seu.edu.cn

研究方向:

1、化合物半导体芯片工艺，包括微波功率器件和光电器件如MMIC, HEMT, LED/LD, micro-LED等。

2、硅基大规模集成电路工艺，主要集中在CMOS后道工艺，多层金属互连，low-k DD工艺，片上测试结构，亚微米/深亚微米光刻等。

3、晶圆级封装技术包括晶圆键合，3DIC, TSV, interposer，solder bumping，异质晶圆集成等。

4、第三代半导体材料表征、器件模型以及仿真

工作经验

1、东南大学下一代半导体研究所2019-至今研究员

超宽禁带半导体材料的表征，射频、光电器件工艺及其测量

2、Ostendo Technology Inc.  2009-2018  产品研发主管（Director of Product Development）

制作出了世界上首颗使用晶圆级3DIC技术集成硅基大规模集成电路（CMOS）和III-V族化合物半导体（砷化镓、氮化镓、磷化铟等）的光电阵列器件。领导团队解决异质晶圆键合、CMOS后道工艺、TSV、微透镜阵列、光波导等关键工艺，研发出的高密度微显示光场芯片成功运用于投影、AR/VR、3D显示等领域。

3、UTStarcom Inc.    2003-2004  工程师（Software Engineer）

教育经验

1、Virginia Commonwealth University, USA 2004 -2009 博士，电子与计算机工程

2、浙江大学，中国2000-2003  硕士，通信与信息系统

3、浙江大学，中国2000-2003  学士，电子工程

主要专利

1、Semiconductor wafer bonding incorporating electrical and optical interconnects, US9306116B2

2、Methods for improving wafer planarity and bonded wafer assemblies made from the methods,US9978582B2

3、Semiconductor device and method for manufacturing the same，US20190267468A1

4、集成增强型与耗尽型场效应管的结构及其制造方法，CN109727918A

5、外延结构的减薄方法, CN109065449B

6、半导体器件及其制造方法, CN109727862A

7、半导体器件及其制造方法, CN108649071A

8、半导体器件制造方法, CN108493111A

9、基于金刚石的镓面极性氮化镓器件制造方法CN108878511A

10、金刚石基氮化镓器件制造方法CN108847392A

代表论文

1、Improvement of AlN material quality by hightemperature annealing toward power diodes, X. Ni, Q. Fan, B. Hua, P. Sun, Z. Cai, H. Wang, C.N. Huang and X. Gu, IEEE Transactions on Electron Devices, 2020.2991397 (2020).

2、Reactive ion etch damage on GaN and its recovery, Qian Fan, S. Chevtchenko, Xianfeng Ni, Sang-Jun Cho, Feng Yun, and Hadis Morkoç, Journal of Vacuum Science & Technology B, 24, 3, pp. 1197-1201 (2006)

3、Small Signal Equivalent Circuit Modeling for AlGaN/GaN HFET, Qian Fan; Jacob H. Leach, Hadis Morkoç; Proceedings of IEEE, V98, Issue 8, pp. 1140 - 1150 (2010).

4、Etching formation of GaN micro optoelectronic device array, Qian Fan, Frank Lee, Kameshwar Yadavalli, Michael S. Lee, Chih-Li Chuang, and Hussein El-Ghoroury, Proc. SPIE 7939, 793913 (2011)

5、Two-dimensional drift-diffusion simulation of GaN HFETs, Qian Fan and Hadis Morkoç, Proc. SPIE 7939, 79391O (2011)