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国家重点研发计划项目“面向第三代半导体应用的高频软磁材料”研究方案讨论与学术研讨会顺利召开
发布人:叶阳子  发布时间:2023-03-01   动态浏览次数:1057


2023225日,由东南大学牵头承担的国家重点研发计划项目“面向第三代半导体应用的高频软磁材料”研究方案讨论与学术研讨会于江苏南京顺利召开。项目参与单位东南大学、清华大学、中国电子科技集团公司第九研究所、安泰科技股份有限公司、大连理工大学、北京交通大学及中兴通讯股份有限公司课题负责人及主要人员出席了本次会议,会议由项目负责人东南大学沈宝龙教授主持。

会议伊始,沈宝龙教授致欢迎词,并向各参与单位递交科学技术部高技术研究发展中心下发的项目立项文件。

沈宝龙教授向各参与单位递交立项文件

会议第二阶段,各课题、任务单位负责人针对本项目研究任务、研究重点以及进度安排等内容进行深入讨论与交流,针对项目实施细则提出宝贵建议。清华大学姚可夫教授详细介绍了铁基纳米晶软磁合金研究进展,并对项目责任专家确定,财务细则制定等方面给予了宝贵经验;大连理工大学张伟教授就面向第三代半导体应用的高频软磁材料,对所承担课题实施计划及研究进展作了报告;东南大学博士研究生蔡名娟介绍了课题组承担项目以来在铁基纳米晶软磁合金超薄带优异高频软磁性能方面的进展研究;中国电子科技集团公司第九研究所王雨对承担课题及任务工作进展作了汇报;安泰科技股份有限公司李百松详细介绍了SiC半导体器件用纳米晶带材研发进展;北京交通大学刘建强教授介绍了第三代半导体电源模块电路拓扑设计方案;中兴通讯股份有限公司蒋颂海详细介绍了中兴通讯项目团队并作了相关研究汇报。

各参与单位交流汇报

本次会议安排紧凑有序,内容丰富,与会师生就汇报内容展开了深入讨论,对研究进展中存在的问题提出了诸多建设性意见,现场交流气氛热烈。会后,各课题分别讨论并合影留念。

课题一参与成员合影

课题二参与成员合影 

课题三参与成员合影

课题四参与成员合影

项目参与人员集体合影

本次会议的成功召开,加强了项目各参与单位间的交流,推进了项目实施进度,为圆满完成项目目标奠定了基础。