陶立
发布时间:2016-09-29   浏览次数:2017
基本信息

姓名:陶立

性别:男

党派

职称:教授

联系方式nanovdw@163.com

研究方向:

1.二维纳米拓扑材料的制备、表征及能隙调控

2.可穿戴、多功能光学电子多功能材料及传感器件

3.精细微纳结构在生物医学、环境食品安全上的应用

个人简介

陶立,2004年本科毕业于东南大学材料科学与工程系,后获全额奖学金赴美留学。2010年获美国德克萨斯大学达拉斯(UT Dallas)分校材料科学与工程博士学位,并于美国德克萨斯大学奥斯汀(UT Austin)微电子研究中心进行博士后研究,2012年留任该中心研究员。20163月正式入选国家“千人计划”青年人才。

主要研究背景包括二维材料学与器件应用,柔性微电子器件和无尘超净间微纳精细加工技术与健康医疗的交叉应用。代表成果为硅片级大面积化学气相沉积石墨烯及其高性能柔性电子器件(欧洲物理协会纳米技术网2012年度科技进步新闻),硅烯晶体管器件的制备与电学表征(时代》杂志报道《探索》杂志2015年度全球100项重要科学技术突破第33)。

NatureNanotechnologyNatureMicrosystems&NanoengineeringACS NanoSmallJ. Phys. Chem. C等学术期刊上发表论文近30篇(SCI引用800余次, Google Scholar引用1000余次),特邀书稿章节2次。在MRSIEEEAPS等重要国际会议上作邀请报告6次,担任国际微纳米制备技术大会(EIPBN,3-beam)常务委员,IEEE-Nano会议评审委员团成员,美国肯塔基科学与技术基金项目评审专家。

  

技术研发及指导荣誉

  • 2016年,硅烯器件研究被《探索杂志》评选为2015100项科学发现第33

  • 2015年,发表在《自然·纳米技术》上的硅烯晶体管自然期刊新闻时代杂志博客MIT技术评论等标杆媒体报道

  • 2012年,发表在IEEE-IEDM(美国电气电子工程协会电子器件会议)上的石墨烯柔性电子器件工作被欧洲物理协会网上媒体评选为2012最佳技术进步之一

  • 2012年,发表在《ACS纳米》上的期刊论文被今日半导体技术固态器件技术纳米新工作等技术网站报道为“首创硅片级大面积石墨烯合成工作”

  • 2011NNIN(美国国家纳米基础组织)颁发的本科生科研指导贡献奖

  • 2010UT Dallas技术发明奖:新型形状可控纳米载药颗粒的制备与表征

  • 2009EIPBN Student Travel Award(国际微纳技术年会优秀学生报告资助奖)


教育背景

  • 2010-2012年:博士后,美国德克萨斯大学奥斯汀,导师:Deji AkinwandeRodney Ruoff

  • 2010年:材料科学与工程博士,美国德克萨斯大学达拉斯分校,导师:Walter Hu

  • 2004年:材料科学与工程学士,东南大学材料科学与工程系,导师:孙扬善


科研学术成果摘要

科研项目主持、参与与评审

  • 2017-2019年获批国家自然科学基金青年项目#51602051 (主持)

  • 2016年至今中组部第十二批“千人计划”青年项目(主持)

  • 2015年至今美国肯塔基自然科学与工程研究基金项目评审专家

  • 2013-2016年美国国家自然科学基金、纳米电子及半导体研究基金(参与)

发表30多篇SCI收录科技期刊论文(重点选列如下,详细信息请见后节)

  • 一作10余篇:Nature Nanotechnology,ACS Nano,Small,J. Physical Chemistry C;Nanotechnology;

  • ExperimentalBiology and Medicine(特邀综述)

  • 合作文章:NanoLetters, ACS Nano, ACS Applied Materials & Interfaces等

国际专业会议收录20多篇摘要,18次技术报告(7次特邀),近期有:

  • 2016IEEE-ISDRS(美国电气电子工程协会电子器件研究专题)特邀报告

  • 2016AVS(美国真空协会)特邀报告

  • 2015ECS(美国电化学会议)特邀报告

  • 2015   NIST(美国国家标准技术局)特邀报告

  • 2015IEEE-nano(美国电气电子工程协会纳米研究分部)特邀稿件

受邀编写书籍章节2

  • CRC Press: Graphene Handbook石墨烯应用手册第一卷第26

  • Springer: Book on Silicene. 硅烯(出版中)

美国研究专利申请2

  • 2015年介稳态二维材料的保护与器件集成技术, 22084-P128V1

  • 2007年表面自由能法合成纳米结构或材料, 美国专利申请号#60/986,542

国际专业会议评审议服务及国际期刊审稿服务共50余次

  • 2014年至今         IEEE-nano会议摘要评审人(微电子器件及纳米材料)

  • 2012年至今         EIPBN(微纳米制造技术年会)会议评审委员会成员

  

主要科研论文 (被引用近千次)

1. L. Tao, E.Cinquanta, D. Chappe, A. Molle, D. Akinwande, “Silicene Field-EffectTransistors at Room Temperature”, Nature Nanotechnology, 10, 227-231(2015)

{Nature News, Time Magazine Blog, MIT Tech review等十余家标杆媒体广泛报道}

2H. Huang, L. Tao, et al., “Chemical-Sensitive GrapheneModulator with Memory Effect for Internet-of-Things Applications”, NatureMicrosystems & Nanoengineering, 2, 16018 (2016)

3. X. Wang,* L. Tao,* (共同一作) et al., “Direct Delamination of Graphenefor High-Performance Plastic Electronics”, Small 10 (4) 2013

4. S. Rahimi, L. Tao, et al., “Towards 300mm Wafer-Scalable High-PerformancePolycrystalline CVD Graphene Transistors”, ACS Nano, 2014, 8 (10), 10471–10479

5. A. Lee, L. Tao, D. Akinwande:“Suppression of Copper Thin Film Loss during Graphene Synthesis”, ACS Applied Materials & Interfaces,2014, 7(3), 1527-1532

6. L. Tao, J. Lee, H. Li, R. Piner,R. S. Ruoff, D. Akinwande, “Inductively-heated synthesized graphene with recordtransistor mobility on oxidized silicon at room temperature”, Appl. Phys. Lett. 103 (18), 2013

7. H. Chang, S.Yang, J. Lee, L. Tao, et al., “High-Performance, HighlyBendable MoS2 Transistors with High-k Dielectrics for FlexibleLow-Power Systems”, ACS Nano, 2013, 7(6), 5446–5452

8.L. Tao, J. Lee, H. Chou, M.Holt, R. S. Ruoff and D. Akinwande, “Synthesis of high quality monolayergraphene at reduced temperature on hydrogen enriched Cu(111) films” ACSNano, 2012, 6 (3),2319–2325. {20123-4月阅读数量前15名文章}

9. L. Tao, J. Lee, M. Holt, H. Chou, et al., “Uniform wafer-scalesynthesis of graphene on evaporated Cu (111) film with quality comparable toexfoliated monolayer”, J. Phys. Chem. C, 116, 24068, 2012

10. J.Lee, L. Tao, Y. Hao, R.S. Ruoff, D.Akinwande, “Embedded-gate graphene transistors for high-mobility detachableflexible nanoelectronics”,Appl. Phys. Lett. 100, 1521042012

11. L. Tao, J. Lee, D. Akinwande,“Nanofabrication down to 10 nm on a plastic substrate” J. Vac. Sci. Technol. B. 29, 06FG07, 2011

12.L. Tao, W. Hu, Y. Liu, G.Huang, B. D. Sumer and J. Gao, “Shape-specific polymeric nanoparticles fornanomedicine”, Exp. Biol. Med. 236(1), 20-29, 2011 {特邀综述}

13.L. Tao, X. Zhao, J. M. Gao andW. Hu, “Lithographically defined uniform worm-shaped polymeric nanoparticles”, Nanotechnology21 (9), 095301, 2010

14. L. Tao, S. Ramachandran, C. T.Nelson, M. Lin, L. J. Overzet, et al.,“Durable diamond-like carbon templates for UV nanoimprint lithography,” Nanotechnology19(10), 105302, 2008

15. L. Tao, A. Crouch, F. Yoon, B.Lee, H. Hillebrenner et al.,“Inducedpatterning of organic and inorganic materials by spatially discrete surface energy,”J. Vac. Sci. Technol. B. 25 (6), 2007

16. S.Ramachandran, L. Tao, et al., Deposition and Patterningof Diamond-Like Carbon as Anti-Wear Nanoimprint Templates, JVST B.2993, 2006.

{200612月本期刊阅读量前20名文章,同行引用为领先技术}


业内标杆杂志特邀稿

  • “Large-Area Graphene Employed in Commercial Touchscreens,Flexible Electronics and Electrode for Neural Interfaces” IEEE-nano magazine,September Issue, 2015


特邀书籍章节

  • Chapter 26“Wafer-scale chemical vapor deposition of high quality graphene on evaporatedCu film” in Graphene Science Handbook, Vol.1 fabrication methods, CRC press,Taylor & Francis Group. (In press)

  • Chapter 12“Encapsulated silicene for field-effect transistor devices” in Book of Siliceneby Springer press. (In writing)


特邀技术报告

1.“2D AtomicSheets for Flexible/Wearable Nanoeletronics” IEEE-International SemiconductorDevice Symposium (ISDRS), December 2016

2.“2D Devicesfor flexible and topological nanoelectronics.” American Vacuum Society (AVS) 63rdInternational Symposium & Exhibition, November 2016

3.Phosphoreneand Silicene: Complexity and Opportunity in Buckled Atomic Sheets”, MRS FallMeeting, EE11.01, Boston, MA, December 2015

4.“Emerging2D Materials/Devices and Flexible Electronics”, 1000 Young Talent Award, Beijing,China, November 2015

5.“Nanoelectronicsbased on silicene”, 227th Electrochemical Society Meeting, Chicago,IL, May 2015

6.“Adventurewith Graphene, Phosphorene and Silicene” National Institute of Standards andTechnology (NIST), Gaithersburg, Maryland, May 2015

7.“Enhancementof Graphene Field Effect Transistor by Hexamethyldisilazane Surface Treatment.”IEEE Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO), August 2014


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